首页 >> 商铺

TI凭借创新工艺第一代放大器实现超低噪声电缆设备

时间:2022/11/09 12:35:11 编辑:

TI凭借创新工艺第一代放大器实现超低噪声 针对高电压工业应用,ti最新发布了两款高压运算放大器opa211与opa827,新器件采用ti创新的bicom3hv互补双极36v硅锗(sige)工艺开发而成,具有低功耗、小体积等关键特性,这是基于此种新工艺的第一代产品。两款器件现已开始提供样片,计划于200振动机械7年第二季度投入量产,所有器件的工作温度范围均设置为-40℃至+125℃。

尽管ti以前就有40v模拟产品的工艺,但一直没有应用于合适的产品设计,对burr-brown的收购使这一新型模拟工艺大有用武之地,德州仪器(ti)高精度模拟产品亚洲区业务拓展经理官世明称:“工艺是这两款高电压运算放大器核心竞争力的一部分,也显示了ti致力于推动高电压工业市场的决心。”

两款放大器实现更低噪声、宽电压

两款新品提供超低噪声与36v电源,以满足严格的工业要求,为测试测量、仪表、影像、医疗、音频与过程控制等应用提供突破性的高性能,较同类36v器件功耗更低、对整体系统电源要求更低,并且新工艺显示减小尺寸,从而为±15v工业应用提供了最小封装。

opa211是一款双极输入运算放大器,仅需3.6ma电源电流即可实现1.1nv/rthz的电压噪声与80mhz增益带宽(gbw)。该器件可提供100μv失调电压、0.2μv/degc失调电压漂移以及不足1μs的建立时间,非常适合驱动数据采集系统中的高精度模数转换器,此外,该器件还支持轨至轨输出振幅,从而扩大了动态范围。其工作电源电压范围为±2.25v至±18v,采用8引脚msop封装或8引脚dfn封装。3毫米x3毫米dfn封装面积仅为标准8引脚so封装的三分之一。双极运算放大器在降低失调电压误差方面表现出色,非常适合信号源阻抗较低的应用。

对于jfet输入运算放大器opa827,官世明指出:“jfet运算放大器实现了极低的偏置电流,其输入架构非常适用于高输入阻抗的应用,例如工业应用及通信领域。”opa827实现了出色dc精度与优异ac性能的完美结合。dc特性包括4.5nv/rthz电压噪声、250μv失调电压、1μv/degc失调电压漂移以及400nvpp频率噪声。ac参数包括18mhzgbw、22v/μs压摆率以及1khz频率下的0.0004%总谐波失真(thd)。它的工作电源电压范围为±4v至±18v,电源电流只需4.5ma。该器件采用8引脚msop封装,与8引脚so封装相比占用面积减少了一半。

此外,ti还为客户提供适用于高精度应用的信号链解决方案,其中包括ads8505等模数转换器以及dac8811等数模转换器。opa211与opa827为配合titms320高性能dsp平台与msp430超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。

bicom3hv新工艺适用于高压、高精度要求

bicom3hv工艺可满足未来高电压工业应用的需求,实现了高速度、低噪声、低功耗等特性,与前代技术相比,封装面积显著缩小。bicom3hv是率先采用硅锗技术的36v工业工艺,其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色的晶体管匹配与高精度硅铬(sicr)电阻灯饰墙艺器提高了精准度,扩大了动态范围,实现了整个工作温度范围内的高稳定性。

官世明称:“bicom3hv工艺不是单纯的sige工艺,引入硅绝缘体(soi)技术缩小了晶体管尺寸。”通过尽可能缩小npn晶体管,ti晶体管尺寸仅为采用最先进工艺技术的同类产品的11分之一。soi还带来了其它优势,如低泄漏电流与更小的晶体管间影响等。

与数字工艺的cmos低电压工艺和传统的bicmos工艺不同,bicom3hv工艺技术更适用于新一代工业电压运算放大器(双极输入与fet输入)、仪表放大器、可编程增益放大器以及高精度参考等。

针对高电压工业应用,ti最新发布了两款高压运算放大器opa211与opa827,新器件采用ti创新的bicom3hv互补双极36v硅锗(sige)工艺开发而成,具有低功耗、小体积等关键特性,这是基于此种新工艺的第一代产品。两款器件现已开始提供样片,计划于2007年第二季度投入量产,所有器件的工作温度范围均设置为-40℃至+125℃。

尽管ti以前就有40v模拟产品的工艺,但一直没有应用于合适的产品设计,对burr-brown的收购使这一新型模拟工艺大有用武之地,德州仪器(ti)高精度模拟产品亚洲区业务拓展经理官世明称:“工艺是这两款高电压运算放大器核心竞争力的一部分,也显示了ti致力于推动高电压工业市场的决心。”

两款放大器实现更低噪声、宽电压

两款新品提供超低噪声与36v电源,以满足严格的工业要求,为测试测量、仪表、影像、医疗、音频与过印章程控制等应用提供突破性的高性能,较同类36v器件功耗更低、对整体系统电源要求更低,并且新工艺显示减小尺寸,从而为±15v工业应用提供了最小封装。

opa211是一款双极输入运算放大器,仅需3.6ma电源电流即可实现1.1nv/rthz的电压噪声与80mhz增益带宽(gbw)。该器件可提供100μv失调电压、0.2μv/degc失调电压漂移以及不足1μs的建立时间,非常适合驱动数据采集系统中的高精度模数转换器,此外,该器件还支持轨至轨输出振幅,从而扩大了动态范围。其工作电源电压范围为±2.25v至±18v,采用8引脚msop封装或8引脚dfn封装。3毫米x3毫米dfn封装面积仅为标准8引脚so封装的三分之一。双极运算放大器在降低失调电压误差方面表现出色,非常适合信号源阻抗较低的应用。

对于jfet输入运算放大器opa827,官世明指出:“jfet运算放大器实现了极低的偏置电流,其输入架构非常适用于高输入阻抗的应用,例如工业应用及通信领域。”opa827实现了出色dc精度与优异ac性能的完美结合。dc特性包括4.5nv/rthz电压噪声、250μv失调电压、1μv/degc失调电压漂移以及400nvpp频率噪声。ac参数包括18mhzgbw、22v/μs压摆率以及1khz频率下的0.0004%总谐波失真(thd)。它的工作电源电压范围为±4v至±18v,电源电流只需4.5ma。该器件采用8引脚msop封装,与8引脚so封装相比占用面积减少了一半。

此外,ti还为客户提供适用于高精度应用的信号链解决方案,其中包括ads8505等模数转换器以及dac8811等数模转换器。opa211与opa827为配合titms320高性能dsp龙泉平台与msp430超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。

bicom3hv新工艺适用于高压、高精度要求

bicom3hv工艺可满足未来高电压工业应用的需求,实现了高速度、低噪声、低功耗等特性,与前代技术相比,封装面积显著缩小。bicom3hv是率先采用硅锗技术的36v工业工艺,其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色的晶体管匹配与高精度硅铬(sicr)电阻器提高了精准度,扩大了动态范围,实现了整个工作温度范围内的高稳定性。

官世明称:“bicom3hv工艺不是单纯的sige工艺,引入硅绝缘体(soi)技术缩小了晶体管尺寸。”通过尽可能缩小npn晶体管,ti晶体管尺寸仅为采用最先进工艺技术的同类产品的11分之一。soi还带来了其它优势,如低泄漏电流与更小的晶体管间影响等。

与数字工艺的cmos低电压工艺和传统的bicmos工艺不同,bicom3hv工艺技术更适用于新一代工业电压运算放大器(双极输入与fet输入)、仪表放大器、可编程增益放大器以及高精度参考等。

包皮阴茎头炎有哪些症状
包皮手术后怎么消水肿呢
武汉好的做包皮手术医院
西安哪家医院能治疗癫痫
相关资讯